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Epitaxial Atomic Layer Deposition of Sn-Doped Indium Oxide

机译：掺锡氧化铟的外延原子层沉积

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Coherently strained, epitaxial Sn-doped In2O3 (ITO) thin films were fabricated at temperatures as low as 250 degrees C using atomic layer deposition (ALD) on (001)-, (011)-, and (111)-oriented single-crystal Y-stabilized ZrO2 (YSZ) substrates. Resultant films possess cube-on-cube epitaxial relationships with the underlying YSZ substrates and are smooth, highly conductive, and optically transparent. This epitaxial ALD approach is favorable compared to many conventional growth techniques as it is a large-scale synthesis method that does not necessitate the use of high temperatures or ultrahigh vacuum. These films may prove valuable as a conductive growth template in areas where high-quality crystalline thin film substrates are important, such as solar energy materials, light-emitting diodes, or wide bandgap semiconductors. Furthermore, we discuss the applicability of this ALD system as an excellent model system for the study of ALD surface chemistry, nucleation, and film growth.
机译：使用原子层沉积（ALD）在（001）-，（011）-和（111）取向的单晶上在低至250摄氏度的温度下制备了相干应变的外延掺Sn In2O3（ITO）薄膜Y稳定的ZrO2（YSZ）衬底。所得的膜与下面的YSZ衬底具有立方体对立方体的外延关系，并且是光滑的，高度导电的和光学透明的。与许多常规生长技术相比，这种外延ALD方法是有利的，因为它是不需要使用高温或超高真空的大规模合成方法。这些薄膜在高品质晶体薄膜基板很重要的区域（例如太阳能材料，发光二极管或宽带隙半导体）中，可作为导电增长模板的价值很高。此外，我们讨论了该ALD系统作为研究ALD表面化学，成核和膜生长的出色模型系统的适用性。

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