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Structure and features of the surface morphology of A (4) B (6) chalcogenide epitaxial films

机译：A（4）B（6）硫族化物外延膜的表面形态结构和特征

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The structure and features of the surface morphology of Pb1 - x Mn (x) Se (x = 0.03) epitaxial films grown on freshly cleaved BaF2(111) faces and PbSe1 - x S (x) (100) (x = 0.12) single-crystal wafers were investigated by molecular beam condensation and the hot-wall method. It is shown that the epitaxial films, in accordance with the data in the literature for other chalcogenides, grow in the (111) and (100) planes, repeating the substrate orientation. Black aggregates are observed on the film surface of the films grown. The results obtained are compared with the data in the literature and generalized for other chalcogenides: A (4) B (6):Pb (S, Se, Te); Pb1 - x Sn (x) (S, Se, Te); and Pb1 - x Mn (Se, Te). It is established that the formation of black aggregates, which are second-phase inclusions on the surface of epitaxial films obtained by vacuum thermal deposition, is characteristic of narrow-gap A (4) B (6) chalcogenides.
机译：在刚裂解的BaF2（111）面上和PbSe1-x S（x）（100）（x = 0.12）单晶上生长的Pb1-x Mn（x）Se（x = 0.03）外延膜的表面形态结构和特征通过分子束冷凝和热壁法研究了晶体晶片。结果表明，根据文献中有关其他硫族化物的数据，外延膜在（111）和（100）平面内生长，重复了衬底取向。在生长的膜的膜表面上观察到黑色聚集体。将获得的结果与文献中的数据进行比较，并推广到其他硫族化物：A（4）B（6）：Pb（S，Se，Te）; Pb1-x Sn（x）（S，Se，Te）;和Pb1-x Mn（Se，Te）。已经确定，黑色聚集体的形成是通过真空热沉积获得的外延膜表面上的第二相夹杂物，这是窄间隙A（4）B（6）硫族化物的特征。

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