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【24h】

On the Low-Temperature Photoluminescence and Photovoltaic Properties of Fine-Grained CdTe Films

机译：细菌CDTE薄膜的低温光致发光和光伏性能

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In the low-temperature (Т = 4.2 K) photoluminescence spectrum of a fine-grained (the grain size is smaller than 1 μm) obliquely sputtered CdTe thin film, the dominant intrinsic emission band caused by potential barriers at grain boundaries and the edge doublet band representing the LO-phonon replica of the dominant band are observed. Doping of the film with an In impurity quenches the doublet band and subsequent heat treatment activates the intrinsic emission band. The full-width at half maximum and the shortwavelength shift of the red edge of the latter correlate with a maximum anomalously high photovoltage of 2 × 10~2-10~3 V generated by the film.
机译：在低温（Т= 4.2K）的光致发光光谱中，细粒（晶粒尺寸小于1μm）倾斜溅射的CdTe薄膜，所以由晶界和边缘的潜在屏障引起的主要内在发射带 观察到代表主导频带的LO-Phonon副本的频段。 用杂质掺杂薄膜淬灭双重带和随后的热处理激活本征发射带。 后半部分的全宽和后者的红色边缘的短波长移位与由薄膜产生的2×10〜2-10〜3V的最大大正式高光电图。

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