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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 超伝導エレクトロニクス >超伝導デジタル回路応用に向けた磁性ジョセフソン接合の作製
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超伝導デジタル回路応用に向けた磁性ジョセフソン接合の作製

机译：用于超导数字电路应用的磁性约瑟夫森接合的制造

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摘要

我々は、ジョセフソン接合に磁性薄膜を導入した、超伝導体／磁性体／絶縁体／超伝導体（SFIS）の構造を持つ接合を作製している。SFIS接合では、磁性層における交換相互作用により、電極間の位相差がはじめからπだけずれた特異な接合（π接合）を得ることができるが、接合の電気的特性は磁性層の影響を強く受けることが知られている。デジタル回路のスイッチ素子としての応用を念頭にした場合、通常の接合とπ接合を作り分けること、高い臨界電流密度と特性電圧（高速性）、及び、集積回路を実現可能な水準にばらつきを抑制することなどが要求される。本稿では、磁性障壁層としてPdNi合金（Ni割合11%）を用い、磁性層の膜厚に対する接合特性の変化と、臨界電流値のばらつきを評価した結果を報告する。磁性層の膜厚の増加により臨界電流密度は指数関数的に減少するとともに、9nmと11nmのときにπ接合が得られ、磁性層によっても接合特性が制御できることを確認した。また、臨界電流値のばらつき1σは2%を下回り、大規模集積回路への適用が可能であることを示唆する結果を得た。
机译：我们已经用超导体/磁体/绝缘体/超导体（SFI）结构粘合，所述超导体结构在约瑟夫森交汇处引入磁性薄膜。在SFI键合中，尽管磁性层中的交换相互作用可以从开始时获得由电极之间的相位差移位的独特键（π结），但是键的电特性受到磁性层的强烈影响。它是已知接受。根据作为数字电路的开关元件的应用，可以在高临界电流密度和特征电压（高速）和特征电压（高速）和高临界电流密度的水平中产生变化和特征电压（高速）和集成电路。需要是。在本文中，我们使用PDNI合金（Ni比率11％）作为磁阻层，并报告相对于磁性层的膜厚度的结特性的变化以及评估临界电流值的变化的结果。由于磁性层的膜厚度的增加，临界电流密度随着磁性层的薄膜厚度的增加而降低，并且在9nm和11nm处获得π键，确认键合特性也可以由磁性层控制。另外，临界电流值的变化低于2％，结果表明可以应用于大规模集成电路的结果。

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