Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4#-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)

П.А. Иванов; А.С. Потапов; Т.П. Самсонова

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4#-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)

【24h】

Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4#-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)

机译：通过＃-SiC建模在半导体装置4的瞬态过程的（保持不完全电离的掺杂剂在ATLAS模块SILVACO TCAD软件包）

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Проведено моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратно смещенным 4H-SiC р-n-диодом в качестве емкостного элемента. Для моделирования использовался программный модуль ATLAS, входящий в состав системы приборно-технологического проектирования SILVACO TCAD. Предложен и опробован альтернативный имеющемуся в ATLAS способ задания параметров легирующих примесей, частично ионизированных в 4H-SiC при комнатной температуре. (Имеющаяся в модуле ATLAS физическая модель INCOMPLETE, описывающая неполную ионизацию легирующих примесей в полупроводниках, непригодна для моделирования динамических характеристик приборов). Результаты моделирования обсуждаются в свете полученных ранее результатов экспериментальных исследований.

机译：在RC电路中模拟过渡过程，其具有反向移位的4H-SiC P-N-二极管作为电容元件。用于建模，ATLAS软件模块，这是Silvaco TCAD仪器和技术设计系统的一部分。提出并测试了在室温下在4H-SiC中部分电离的合金化杂质参数的替代方法。（描述半导体中合金化杂质不完全电离的不完全电离的物理模型不适合于对设备的动态特性进行建模）。根据先前获得的实验研究结果讨论了模拟结果。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2019年第3期|共4页
作者
П.А. Иванов; А.С. Потапов; Т.П. Самсонова;
展开▼
作者单位

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
专利

1. Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4#-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD) [J] . П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова Физика и техника полупроводников . 2019,第3期

机译：通过＃-SiC建模在半导体装置4的瞬态过程的（保持不完全电离的掺杂剂在ATLAS模块SILVACO TCAD软件包）
2. Simulation of Transient Processes in 4H-SiC Based Semiconductor Devices (Taking into Account the Incomplete Ionization of Dopants in the ATLAS Module of the SILVACO TCAD Software Package) [J] . Ivanov P. A., Potapov A. S., Samsonova T. P. Semiconductors . 2019,第3期

机译：基于4H-SiC基于半导体器件的瞬态过程模拟（考虑到Silvaco TCAD软件包的掺杂剂不完全电离）
3. Simulation and optimization of n-type interdigitated back contact silicon heterojunction (IBC-SiHJ) solar cell structure using Silvaco Tcad Atlas [J] . Belarbi M., Beghdad M., Mekemeche A. Solar Energy . 2016,第Apra期

机译：使用Silvaco Tcad Atlas模拟和优化n型叉指背接触硅异质结（IBC-SiHJ）太阳能电池结构
4. Modeling and simulation of electrolyte pH change in conventional ISFET using commercial Silvaco TCAD [C] . Ahmed M. Dinar, AS Mohd Zain, F. Salehuddin International Conference on Sustainable Engineering Techniques . 2019

机译：商业Silvaco TCAD常规ISFET电解质pH变化的建模与仿真
5. Modeling and Simulation of Indium Arsenide/Gallium Arsenide Quantum Dot Solar Cells in SILVACO TCAD. [D] . Dong, Boqun. 2014

机译：SILVACO TCAD中砷化铟/砷化镓量子点太阳能电池的建模与仿真。
6. Investigation of Monolithic 3D Integrated Circuit Inverter with Feedback Field Effect Transistors Using TCAD Simulation [O] . Jong Hyeok Oh, Yun Seop Yu 2020

机译：具有TCAD仿真的反馈场效应晶体管的单片3D集成电路逆变器研究
7. Performance Optimization of the InGaP/GaAs Dual-Junction Solar Cell Using SILVACO TCAD [O] . Marwa S. Salem, Omar M. Saif, Ahmed Shaker, 2021

机译：使用Silvaco TCAD的InGaP / GaAs双结太阳能电池的性能优化

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅