...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Получение и свойства Гeте ростру ктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
【24h】

Получение и свойства Гeте ростру ктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

机译：制备和性能格特罗斯特拉基土拉的GaAsSb /砷化镓，掺杂的磁性杂质

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Впервые выращены й исследованы структуры, содержащие квантовую яму GaAsSb/GaAs и 5-слои марганца и углерода в покровном слое GaAs. Полученные гетеронаноструктуры имеют хорошее кристаллическое качество, что подтверждается рентгенодифракционным анализом и фотолюминесцентными исследованиями. Обнаружено, что при температурах ниже 20-25 К они обладают ферромагнитными свойствами, поскольку демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление. Профилирование элементного состава методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявило противоположное влияние (5-легирования углеродом и марганцем покровного GaAs слоя на профиль квантовой ямы GaAsSb: введение углерода приводит к размытию гетерограницы GaAsSb/GaAs из-за сегрегации сурьмы, а легирование марганцем практически не оказывает влияния на профиль распределения сурьмы в квантовой яме.
机译：首次，含有Gaassb / GaAs量子纱线和GaAs涂层中的5层锰和碳的结构的第一次。所得异系结构具有良好的结晶品质，其通过X射线衍射分析和光致发光研究证实。发现，在低于20-25k的温度下，它们具有铁磁性特性，因为它们证明了非线性磁散依赖性霍尔和负磁阻的电阻。通过二次离子质谱法的方法的分析显示了相反的效果（通过涂层GaAs层的碳和锰层在Gaassb量子坑的轮廓上的相反效果（碳和锰层：碳引入碳导致模糊由于锑的偏析，Gaassb / GaAs卓越，并且锰的掺杂实际上不会影响量子坑中锑分布的轮廓。

著录项

  • 来源
  • 作者

    Б.Н. Звонков; О.В. Вихрова; ЮЛ. Данилов; Ю.Н. Дроздов; М.Н. Дроздов; И.Л. Kалентьева; А.В. Кудрин;

  • 作者单位

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 ГСП-105 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 ГСП-105 Нижний Новгород Россия;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号