Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий

A.M. Стрельчук; В.В. Козловский; А.А. Лебедев

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий

【24h】

Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий

机译：辐射损坏碳化硅二极管高能带电粒子

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлено исследование радиационной стойкости трех типов коммерческих выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния (4H-SiC, уровень легирования базового слоя (3—7) ? 10~(15)см~(-3)) при электронном облучении (с энергиями электронов 0.9 или 3.5 МэВ), а также при протонном облучении (с энергией протонов 15 МэВ). Контролировались прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов. В исходном состоянии диоды характеризовались напряжением пробоя 1—2кВ и практически идеальной прямой вольт-амперной характеристикой. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению и определяющим радиационную стойкость параметром является последовательное сопротивление диодов, растущее почти на 10 порядков и достигающее 10~9 Ом при больших дозах. Пороговые дозы при облучении электронами лежат в пределах D_(th)≈ (0.5 — 2) ? 10~(16)см~(-2) и зависят от энергии электронов и уровня легирования базового слоя, а при облучении протонами D_(th) ≈ 5 ? 10~(13) см~(-2).

机译：基于碳化硅的三种商用整流肖特基二极管的辐射阻力研究（4H-SiC，基层（3-7）10〜（15）cm〜（-3）的掺杂水平）在电子照射期间（电子能量为0.9或3.5 meV），以及质子暴露（具有15meV的质子能）。控制二极管的直接和返回伏安特性。在二极管的初始状态下，其特征在于1-2kV的击穿电压和实际上理想的直接伏安特性。已经确定，对辐射抗性参数最敏感的是二极管的一致电阻，而大剂量的数量级和达到10〜9欧姆的均匀性。用电子照射时的阈值剂量位于d_（th）≈（0.5-2）内10〜（16）cm〜（-2），取决于电子能量和掺杂基层的水平，并在用质子d_（th）≈5℃辐照时。 10〜（13）cm〜（-2）。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2018年第13期|共5页
作者
A.M. Стрельчук; В.В. Козловский; А.А. Лебедев;
展开▼
作者单位

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого 195251 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

中文文献
专利

Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅