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一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法

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一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。

著录项

公开/公告号CN111554354A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人湘潭大学;
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申请/专利号CN202010317961.0
发明设计人郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏;
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申请日2020-04-21
分类号G16C10/00(20190101);G16C20/10(20190101);G16C60/00(20190101);
代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);
代理人郑久兴
地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2023-12-17 11:36:58

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1. 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法 [P] . 中国专利： CN111554354A . 2020-08-18
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