Одной из важных причин развития технологии создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) являлась большая перспективность их использования для построения аппаратуры с высокой стойкостью к радиационным излучениям, в особенности квоздействию излучения с большой мощностью дозы. Диэлектрическая развязка в КНИ-приборах препятствует паразитному взаимодействию элементов, групп элементов и подложки, уменьшает число паразитных элементов и приводит к резкому повышению радиационной стойкости к им-пульсным воздействиям, тепло- и помехоустойчивости схем.
展开▼
