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首页> 外文期刊>立命館大学理工学研究所紀要 >Study of initial growth process in InN films grown by RF-MBE
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Study of initial growth process in InN films grown by RF-MBE

机译：RF-MBE种植的初始增长过程研究

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We have studied initial growth process of the InN films grown on (0001) sapphire substrates by RF-MBE. In the direct growth, InN films tended to form the multi-domain structures due to the in-plane rotation. Nitridation process was an effective way to suppress formation of metastable rotation domains. If the V/III ratio was decreased, however, InN films without metastable domains and with only [1010]{sub}(InN)//[1120]{sub}(sapphire) orientation were grown even without nitridation process.
机译：通过RF-MBE研究了在（0001）蓝宝石基材上生长的INN薄膜的初始增长过程。 在直接增长中，由于面内旋转，INN薄膜倾向于形成多域结构。 氮化过程是抑制亚稳旋转域形成的有效方法。 然而，如果V / III比率降低，则没有亚稳定性域的INN薄膜，并且只有[1010] {sub}（INN）// [1120] {sub}（蓝宝石）方向也在没有氮化过程。

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