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【24h】

高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力-IGBT発展を支えた要因を分析するとともに、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る

机译:功率器件开发支持功率器件在高压电阻大容量中开发 - 分析了高压开发的支持开发,未来的电源装置透视包括宽带隙半导体

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摘要

高耐圧·大容量の電力分野では、かつてはGTO (Gate-Turn-Off) を中心としたサイリズタが主に使われていだが、IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) の登場によって、一部のプラント用途などを除き、そのほとhどがパワー半導体デバイスに市境が置き換わりつつある。 そこで、ここでは東芝研究開発センター個別半導体基盤技術ラボラトリーの中川明夫技監と四戸孝研究主幹に、パワ一デバイス開発に重要な役割を果たしたシミュレーション応用を軸に、IGBTを中心としたパワーデバイスの技術展望と、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後の展開を伺った。
机译:在高电压和大容量电源扇区中,使用主要用于GTO(闸门关闭)的晶闸管,但随着IGBT(绝缘门双极晶体管)的出现,一些植物应用等。当市被替换为电力半导体器件,除外。 因此,在这里,我们是东芝研发中心个人半导体基础技术实验室Makoto Makugawa和Hikari研究介绍,轴,电源装置,一个以仿真应用为中心的电源装置,这在电力设备开发中起着重要作用。技术前景和遵循包括宽带隙半导体的未来发展。

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