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Dual-Gated MoS2 Neuristor for Neuromorphic Computing

机译：用于神经形态计算的双门控MOS2神经系统

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The field of neuromorphic computing systems has been through enormous progress in recent years, whereas some issues are still remaining to be solved. One of the biggest challenges in neuromorphic circuit designing is the lack of a robust device with functions comparable to or even better than the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) used in traditional integrated circuits. In this work, we demonstrated a MoS_(2) neuristor using a dual-gate transistor structure. An ionic top gate is designed to control the migration of ions, while an electronic back gate is used to control electronic migration. By applying different driving signals, the MoS_(2) neuristor can be programmed as a neuron, a synapse, or an n-type MOSFET, which can be seen as a fundamental building block in the neuromorphic circuit design. The MoS_(2) neuristor provides viable solutions for future reconfigurable neuromorphic systems and can be a promising candidate for future neuromorphic computing.
机译：近年来，神经形态计算系统的领域经历了巨大进展，而有些问题仍仍然待解决。 神经形态电路设计中最大的挑战之一是缺乏具有与传统集成电路中使用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相当的功能的鲁棒装置。 在这项工作中，我们展示了使用双栅极晶体管结构的MOS_（2）神经系统。 离子顶部门设计成控制离子的迁移，而电子背栅用于控制电子迁移。 通过应用不同的驱动信号，MOS_（2）神经频体可以被编程为神经元，突触或N型MOSFET，其可以被视为神经形态电路设计中的基本构建块。 MOS_（2）神经系统为未来的可重构神经形式系统提供可行的解决方案，并且可以成为未来神经形态计算的有希望的候选者。

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