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【24h】

Atomic Layer Deposition of Transparent p-Type Semiconducting Nickel Oxide Using Ni((tBu2)DAD)(2) and Ozone

机译：使用Ni（（TBU2）达克）（2）和臭氧透明p型半导体氧化镍的原子层沉积氧化物

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A novel atomic layer deposition (ALD) process for nickel oxide (NiO) is developed using a recently reported diazadienyl complex, Ni((tBu2)DAD)(2), and ozone. A window of constant growth per cycle is found between 185 and 200 degrees C at 0.12 nm/cycle, among the highest reported for ALD NiO. For films deposited at 200 degrees C, grazing-incidence X-ray diffraction indicates a randomly oriented polycrystalline cubic NiO phase. X-ray photoelectron spectroscopy shows good agreement with bulk NiO reference spectra and no detectable impurities. Atomic force microscopy reveals low root mean square roughness of 0.6 nm for an 18 nm thick film. The refractive index of 2.36 and an electronic bandgap of 3.78 eV, as determined by variable angle spectroscopic ellipsometry, are close to reported values for bulk and thin film NiO. Finally, fabricated Ag/NiO/n-Si/In heterojunction diodes show a current-voltage asymmetry of 1.27 x 10(4) at 2.3 V and an ideality factor of 3.5, confirming the intrinsic p-type semiconducting behavior of transparent NiO.
机译：使用最近报道的二氮酰基络合物，Ni（TBU2）达克··耐臭氧产生新的氧化镍（NIO）的新型原子层沉积（ALD）方法。在0.12nm /循环中，每周循环的恒定增长窗口在0.12nm /循环之间，最高报道的ALD NIO。对于沉积在200摄氏度的薄膜，放射性发生X射线衍射表明随机取向的多晶立方体NiO相。 X射线光电子能谱显示与散装NIO参考光谱和无可检测的杂质的良好一致性。原子力显微镜显微镜显示为18nm厚膜的0.6nm的低根均方粗糙度。由可变角度光谱椭圆形测定法测定的2.36和3.78eV的电子带隙的折射率接近散装和薄膜NIO的报道值。最后，制造的AG / NIO / N-Si /杂交二极管显示出1.27×10（4）的电流 - 电压不对称，在2.3V和3.5的理想因子，确认透明NiO的内在p型半导体行为。

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