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Electronic Biosensors Based on III-Nitride Semiconductors

机译：基于III族氮化物半导体的电子生物传感器

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We review recent advances of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)-based electronic biosensors. We discuss properties and fabrication of III-nitride-based biosensors. Because of their superior biocompatibility and aqueous stability, GaN-based devices are ready to be implemented as next-generation biosensors. We review surface properties, cleaning, and passivation as well as different pathways toward functionalization, and critically analyze III-nitride-based biosensors demonstrated in the literature, including those detecting DNA, bacteria, cancer antibodies, and toxins. We also discuss the high potential of these biosensors for monitoring living cardiac, fibroblast, and nerve cells. Finally, we report on current developments of covalent chemical functionalization of III-nitride devices. Our review concludes with a short outlook on future challenges and projected implementation directions of GaN-based HEMT biosensors.
机译：我们回顾基于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电子生物传感器的最新进展。我们讨论基于III-氮化物的生物传感器的特性和制造。由于其出色的生物相容性和水稳定性，基于GaN的器件已准备好用作下一代生物传感器。我们审查了表面性质，清洁和钝化以及实现功能化的不同途径，并严格分析了文献中展示的基于III氮化物的生物传感器，包括那些检测DNA，细菌，癌症抗体和毒素的传感器。我们还将讨论这些生物传感器在监测活体心脏，成纤维细胞和神经细胞方面的巨大潜力。最后，我们报告了III族氮化物装置的共价化学功能化的最新进展。我们的回顾以对GaN基HEMT生物传感器的未来挑战和预计实施方向的简短展望作为结束。

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