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首页> 外文期刊>Applied radiation and isotopes: including data, instrumentation and methods for use in agriculture, industry and medicine >PLASMA ELECTRON TEMPERATURE DIAGNOSTICS USING SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTOR DATA ANALYSED BY A NEW THEORY ON THE X-RAY RESPONSES
【24h】

PLASMA ELECTRON TEMPERATURE DIAGNOSTICS USING SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTOR DATA ANALYSED BY A NEW THEORY ON THE X-RAY RESPONSES

机译：利用X射线反应新理论分析的半导体X射线探测器数据进行等离子体电子温度诊断

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Using our new theory on the detection efficiencies of semiconductor x-ray detectors (Cho et al., 1992), we have explained a recently proposed problem (Wenzel et al., 1988) on the X-ray energy response of silicon surface barrier (SSB) detectors (Wenzelet al., 1988). These detectors are commonly utilized in most nuclear-fusion-oriented plasma-confinement devices. Our new theory and our experimental data using synchrotron radiation modify the conventionally utilized interpretations of the SSB X-ray detection efficiencies using the depletion layer thicknesses. This results in changes in the evaluated values of plasma electron temperatures T~e from SSB data. In this manuscript, the first application of the new theory for the analysis of T~e is represented.
机译：使用我们关于半导体X射线检测器检测效率的新理论（Cho等，1992），我们已经解释了一个最近提出的关于硅表面势垒的X射线能量响应的问题（Wenzel等，1988）。 SSB）检测器（Wenzelet等，1988）。这些检测器通常在大多数面向核融合的等离子体约束设备中使用。我们的新理论和使用同步加速器辐射的实验数据修改了使用耗尽层厚度的SSB X射线检测效率的常规用法解释。这导致从SSB数据得出的等离子体电子温度T〜e的评估值发生变化。在此手稿中，代表了新理论在T〜e分析中的首次应用。

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