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首页> 外文期刊>Boletin de la Sociedad Espanola de Ceramica y Vidrio >Plastic relaxation inhibition in low temperature growth of InGaAs/GaAs(001) heterostructures
【24h】

Plastic relaxation inhibition in low temperature growth of InGaAs/GaAs(001) heterostructures

机译：InGaAs / GaAs（001）异质结构低温生长中的塑性松弛抑制

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Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing. The final plastic relaxation degree reached in this way is lower than in high temperature growth, due to the availability of a single surface where misfit dislocations could nucleate. In addition, we have observed that composition modulation even delays plastic relaxation flow, since it introduces tension points that block the dislocation movement, causing the strain-hardening of the alloy.
机译：低温和高温生长的InGaAs / GaAs（001）外延层已经通过透射电子显微镜和双晶X射线衍射进行了研究。我们的结果表明，低温生长会抑制塑性松弛，并且失配位错仅出现在随后的热退火中。由于存在单个表面的失配位错可能成核，因此以这种方式达到的最终塑性弛豫程度低于高温生长。此外，我们已经观察到，成分调制甚至会延迟塑性松弛流，因为它会引入阻碍位错运动的张力点，从而导致合金的应变硬化。

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