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LARGE-AREA AVALANCHE PHOTODIODES FOR THE DETECTION OF SOFT X RAYS

机译：大面积雪崩光电二极管用于检测X射线

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The charge-collection efficiency of beveled-edge-type silicon avalanche photodiodes has been determined for soft x rays in the 50-300-eV range. An efficiency of greater than 80% is measured for energies below the Si L absorption edge. The measured efficiency is well described by a model that accounts for absorption in an oxide overlayer and recombination at the front surface of the diode. The avalanche photodiodes are shown to be significantly more sensitive compared with other detectors for pulsed sources such as a laser-produced plasma source. These results are also very encouraging for soft-x-ray/extreme-UV applications involving synchrotron radiation. [References: 21]
机译：对于50-300eV范围内的软X射线，已经确定了斜边型硅雪崩光电二极管的电荷收集效率。对于低于Si L吸收边缘的能量，效率高于80％。通过一个模型很好地描述了测得的效率，该模型考虑了氧化物覆盖层中的吸收和二极管前表面的复合。与其他用于脉冲源（例如激光产生的等离子体源）的检测器相比，雪崩光电二极管显示出明显更高的灵敏度。对于涉及同步加速器辐射的软X射线/极端UV应用，这些结果也非常令人鼓舞。 [参考：21]

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