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Attenuated phase-shifting masks of chromium aluminum oxide

机译：铬氧化铝的衰减型移相掩模

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Chromium aluminum oxide was chosen as a new candidate for use as an attenuated phase-shifting mask (Att-PSM) material. The compositions of films were correlated with optical properties. With the measured and the fitted data, we simulated the transmittance and the phase shift using the matrix method. Consequently, we acquired optimum parameters for Att-PSM's, such as Al/Cr = 1.9-2.5 and d = 120 nm at a 193-nm wavelength, Al/Cr = 1.0-1.7 and d = 128 nm at a 248-nm wavelength, and Al/Cr = 0-0.1 and d =170 nm at a 365-nm wavelength. This simulation was verified by transmittance measurement. (C) 1998 Optical. Society of America. [References: 20]
机译：铬氧化铝被选为新的候选材料，用作衰减相移掩膜（Att-PSM）材料。膜的组成与光学性质相关。通过测量和拟合数据，我们使用矩阵方法模拟了透射率和相移。因此，我们获得了Att-PSM的最佳参数，例如在193 nm波长处Al / Cr = 1.9-2.5和d = 120 nm，在248 nm波长处Al / Cr = 1.0-1.7和d = 128 nm ，并且在365 nm波长处Al / Cr = 0-0.1和d = 170 nm。通过透射率测量验证了该模拟。 （C）1998光学。美国学会。 [参考：20]

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