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首页> 外文期刊>ECS Journal of Solid State Science and Technology >Chemically Deposited SnSe Thin Films: Thermal Stability and Solar Cell Application
【24h】

Chemically Deposited SnSe Thin Films: Thermal Stability and Solar Cell Application

机译：化学沉积的SnSe薄膜：热稳定性和太阳能电池应用

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Compact and specularly reflective tin(II)selenide (SnSe) thin films 100-310 nm in thickness are deposited on Na2S-treated glass substrates from a chemical bath containing tin(II)chloride, triethanolamine, sodium hydroxide, and sodium selenosulfate. These thin films are of orthorhombic crystalline structure, which remains so even after heating them at 400°C. Partial conversion of SnSe to SnSe_2 occurs only in films 100 nm in thickness when they are heated at 300 to 350°C, but the SnSe_2 component tends to revert to SnSe in films heated at 400°C. The SnSe thin films have an optical bandgap of 0.95-1.14 eV. Their electrical conductivity is p-type, of 0.1-10 Ω~(-1). cm~(-1), with minor variation occurring with film thickness and heat-treatment. A CdS(100 nm)-SnSe(180 nm) solar cell using this film shows an open circuit voltage 215 mV, short circuit current density 1.7 mA/cm2, and conversion efficiency 0.1% under an illumination of 850 W/m~2.
机译：从含有氯化锡（II），三乙醇胺，氢氧化钠和硒代硫酸钠的化学浴中，将厚度为100-310 nm的紧凑且镜面反射的硒化亚锡（II）薄膜（SnSe）沉积在经过Na2S处理的玻璃基板上。这些薄膜具有正交晶系晶体结构，即使在400°C加热后也可以保持这种结构。当将其在300到350°C加热时，仅在厚度为100 nm的薄膜中才会发生SnSe到SnSe_2的部分转化，但是在400°C加热的薄膜中，SnSe_2组分倾向于还原为SnSe。 SnSe薄膜的光学带隙为0.95-1.14 eV。它们的电导率是p型，为0.1-10Ω〜（-1）。 cm〜（-1），随膜厚和热处理的变化很小。使用该膜的CdS（100 nm）-SnSe（180 nm）太阳能电池在850 W / m〜2的光照下显示开路电压215 mV，短路电流密度1.7 mA / cm2，转换效率0.1％。

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