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首页> 外文期刊>ECS Journal of Solid State Science and Technology >Combined Surface Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/Dielectric Hybrid Bonding
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Combined Surface Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/Dielectric Hybrid Bonding

机译：低温铜/介电混合键合的组合表面活化键合技术

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Cu/dielectric hybrid bonding at low temperatures of no more than 200 degrees C remains challenging because of the different features of Cu-Cu and dielectric-dielectric (such as SiO2-SiO2) bonding. This paper reports a combined surface activated bonding (SAB) technique for low-temperature Cu-Cu, SiO2-SiO2, and SiO2-SiNx bonding. This technique involves a combination of surface irradiation using a Si-containing Ar beam and prebonding attach-detach process prior to bonding in vacuum. Wafer bonding experiments were conducted at either room temperature or 200 degrees C. Results of bonding strength measurements, transmission electron microscopy (TEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) observations, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis were reported and discussed to understand the present combined SAB technique. (C) 2016 The Electrochemical Society. All rights reserved.
机译：在不超过200摄氏度的低温下，Cu /电介质混合键合仍然具有挑战性，因为Cu-Cu和电介质（例如SiO2-SiO2）键合具有不同的特征。本文报道了一种用于低温Cu-Cu，SiO2-SiO2和SiO2-SiNx结合的表面活化结合（SAB）技术。该技术包括在真空中进行键合之前，使用含硅的Ar束进行表面辐照和预键合-分离-工艺的结合。晶圆键合实验在室温或200摄氏度下进行。键合强度测量，透射电子显微镜（TEM）和能量色散X射线光谱（EDS）观察结果以及X射线光电子光谱（XPS）分析的结果分别为报告和讨论以了解当前的组合SAB技术。 （C）2016年电化学学会。版权所有。

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