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Initial Growth Behavior of a Lead Oxide Thin Film on Ir Substrates by Atomic Layer Deposition

机译：原子层沉积在Ir衬底上氧化铅薄膜的初始生长行为

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Lead oxide thin films were deposited on Ir/IrO_2/SiO_2/Si substrates by atomic layer deposition at 200 deg C using lead bis(3-N,N-dimethyl-2-methyl-2-propanoxide) and H_2O as the Pb precursor and oxidant, respectively. The growth rate was 0.036 nm/cycle up to a thickness of approx 1 nm but decreased to 0.011 nm/cycle with further increases in thickness. Atomic force microscopy showed that the surface morphology changed slightly with film growth, but this variation cannot explain the large change in growth rate. X-ray photoelectron spectroscopy showed a distinct difference in the chemical composition [O/(Pb + Ir) ratio] between the two thickness regions, which might be responsible for the large discrepancy in growth rate.
机译：使用双（3-N，N-二甲基-2-甲基-2-丙氧基）铅和H_2O作为Pb前驱体并在200摄氏度下通过原子层沉积在Ir / IrO_2 / SiO_2 / Si衬底上沉积氧化铅薄膜。氧化剂。直至约1nm的厚度，生长速率为0.036nm /循环，但随着厚度的进一步增加，生长速率降低至0.011nm /循环。原子力显微镜显示，表面形态随薄膜生长而略有变化，但这种变化不能解释生长速率的大变化。 X射线光电子能谱显示两个厚度区域之间的化学成分[O /（Pb + Ir）比]有明显的差异，这可能是造成生长速率差异很大的原因。

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