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首页> 外文期刊>Chemical Vapor Deposition >Growth of the Initial Atomic Layers of Ta-N Films During Atomic Layer Deposition on Silicon-Based Substrates
【24h】

Growth of the Initial Atomic Layers of Ta-N Films During Atomic Layer Deposition on Silicon-Based Substrates

机译：Ta-N薄膜的初始原子层在硅基衬底上的原子层沉积过程中的生长

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The growth of ultra-thin Ta-N films using atomic layer deposition (ALD) is investigated by in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) starting from the first precursor pulse, as precursor substances tert-butylimido-tris(diethylamido)tantalum (TBTDET) and tert-butylimido-bis(diethylamido)cyclopentadienyl)tantalum (TBDETCp) are applied mainly on SiOH and SiH surfaces. The chemical composition, the growth mode, and the film thickness are derived as functions of the cycle number and the substrate chemistry. The growth rates are significantly higher on SiOH than on SiH substrates, which is related to the oxygen surface concentration. The film composition changes with the cycle number but stabilizes at an approximate stoichiometry of Ta2N2O for both precursors.
机译：通过原位X射线光电子能谱（XPS）研究从原子序沉积（ALD）的超薄Ta-N薄膜的生长过程，该方法从第一个前体脉冲开始，作为前体物质叔丁基亚氨基三（二乙基氨基）钽（TBTDET）和叔丁基亚氨基双（二乙基氨基）环戊二烯基）钽（TBDETCp）主要应用于SiOH和SiH表面。化学成分，生长模式和膜厚度是循环数和底物化学性质的函数。 SiOH上的生长速率明显高于SiH衬底上的生长速率，这与氧表面浓度有关。两种前体的膜组成随循环数而变化，但稳定在Ta 2 N 2 O的近似化学计量比。

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