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首页> 外文期刊>Ferroelectrics: Letters Section >Measurement Methods for the d_(33) Coefficient of PZT Thin Films on Silicon Substrates: A Comparison of Double-Beam Laser Interferometer (DBI) and Single-Beam Laser Vibrometer (LDV) Techniques
【24h】

Measurement Methods for the d_(33) Coefficient of PZT Thin Films on Silicon Substrates: A Comparison of Double-Beam Laser Interferometer (DBI) and Single-Beam Laser Vibrometer (LDV) Techniques

机译：硅基板上PZT薄膜的d_（33）系数的测量方法：双光束激光干涉仪（DBI）和单光束激光振动仪（LDV）技术的比较

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To date there is no well accepted method for the measurement of piezoelectric thin films displacements. The measurement is difficult since the displacement is very small. As the thin films are 'clamped' to a silicon substrate, the contribution of the substrate bending can completely mask the 'true' value of d_(33) piezoelectric coefficient. Whilst double beam interferometers (DBI) have been specifically developed to circumvent this effect, results are presented in this paper to demonstrate that specific sample preparation can yield equivalent results using a single beam laser Doppler vibrometer (LDV).
机译：迄今为止，还没有一种公认的方法来测量压电薄膜的位移。由于位移很小，因此测量很困难。由于薄膜被“夹紧”在硅基板上，基板弯曲的作用可以完全掩盖d_（33）压电系数的“真实”值。尽管专门开发了双光束干涉仪（DBI）来避免这种影响，但本文介绍了一些结果，以证明使用单光束激光多普勒振动计（LDV）进行特定的样品制备可以得到同等的结果。

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