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首页> 外文期刊>Microwave and optical technology letters >A NEW METHOD TO DETERMINE PARASITIC CAPACITANCES FOR HEMTs
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A NEW METHOD TO DETERMINE PARASITIC CAPACITANCES FOR HEMTs

机译：确定HEMT寄生电容的新方法

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A new direct extraction method for the determination of the parasitic capacitances of HEMTs is presented in this article. This method is based on a physically meaningful depletion-layer model and the theoretical analysis of the two-port network for the pinch-off cold FETs. The main advantage of this approach is that parasitic capacitance C_(pg), C_(pd), and C_(pdg) can be extracted under different pinch-off conditions. Good agreement is obtained between modeled and measured results for 2 × 20 μm gate width HEMT (number of gate fingers 3 unit gate width).
机译：本文提出了一种新的直接提取方法，用于确定HEMT的寄生电容。该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C_（pg），C_（pd）和C_（pdg）。对于2×20μm栅极宽度HEMT（栅极指的数量3单位栅极宽度），在建模和测量结果之间取得了良好的一致性。

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