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机译:勘误表:准一维半导体中增强的多激子产生(Nano Letters(2011)11:8(3476-3481)DOI:10.1021 / nl202014a)
机译:勘误表:准一维半导体中增强的多激子产生(Nano Letters(2011)11:8(3476-3481)DOI:10.1021 / nl202014a)
机译:勘误:空穴局部化在半导体金属异质结构纳米晶体牺牲氢生产中的作用(Nano Letters(2011)11:7(2919-2926)DOI 10.1021 / nl201388c)
机译:勘误:超长电沉积PEDOT纳米线中增强的热电指标(Nano Letters(2011)11(125-131)DOI:10.1021 / nl103003d)
机译:半导体量子点和新型分子中的多个激子生成:第三代太阳能光子转换的应用:
机译:纳米尖端硅表面可用于半导体太阳能电池的减反射和多激子产生
机译:多种激子产生引起光响应的增强脉冲激光烧蚀合成单壁碳纳米管/ PbS-量子点纳米杂种
机译:通过在Perovskite纳米晶体中的带间隙多光子吸收以下带下间隙多光子吸收产生共振增强多个激子