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【24h】

A 1 GHz integrated circuit with carbon nanotube interconnects and silicon transistors

机译：具有碳纳米管互连和硅晶体管的1 GHz集成电路

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Due to their excellent electrical properties, metallic carbon nanotubes are promising materials for interconnect wires in future integrated circuits. Simulations have shown that the use of metallic carbon nanotube interconnects could yield more energy efficient and faster integrated circuits. The next step is to build an experimental prototype integrated circuit using carbon nanotube interconnects operating at high speed. Here, we report the fabrication of the first stand-alone integrated circuit combining silicon transistors and individual carbon nanotube interconnect wires on the same chip operating above 1 GHz. In addition to setting a milestone by operating above 1 GHz, this prototype is also a tool to investigate carbon nanotubes on a silicon-based platform at high frequencies, paving the way for future multi-GHz nanoelectronics.
机译：由于其优异的电性能，金属碳纳米管是未来集成电路中互连线的有前途的材料。仿真表明，使用金属碳纳米管互连可以产生更高的能源效率和更快的集成电路。下一步是使用高速运行的碳纳米管互连来构建实验原型集成电路。在这里，我们报告了在高于1 GHz的同一芯片上结合硅晶体管和各个碳纳米管互连线的第一个独立集成电路的制造。除了通过在1 GHz以上的频率运行树立里程碑之外，该原型机还可以作为工具在高频下研究基于硅的平台上的碳纳米管，为未来的多GHz纳米电子学铺平道路。

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