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Fully transparent thin-film transistor devices based on SnO2 nanowires

机译：基于SnO2纳米线的全透明薄膜晶体管器件

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We report on studies of field-effect transistor (FET) and transparent thin-film transistor (TFT) devices based on lightly Ta-doped SnO2 nano-wires. The nanowire-based devices exhibit uniform characteristics with average field-effect mobilities exceeding 100 cm(2)/V center dot s. Prototype nano-wire-based TFT (NW-TFT) devices on glass substrates showed excellent optical transparency and transistor performance in terms of transconductance, bias voltage range, and on/off ratio. High on-currents and field-effect mobilities were obtained from the NW-TFT devices even at low nanowire coverage. The SnO2 nanowire-based TFT approach offers a number of desirable properties such as low growth cost, high electron mobility, and optical transparency and low operation voltage, and may lead to large-scale applications of transparent electronics on diverse substrates.
机译：我们报告了基于轻掺杂Ta的SnO2纳米线的场效应晶体管（FET）和透明薄膜晶体管（TFT）器件的研究报告。基于纳米线的设备表现出均匀的特性，其平均场效应迁移率超过100 cm（2）/ V中心点s。在玻璃基板上的基于纳米线的TFT（NW-TFT）原型器件在跨导，偏置电压范围和开/关比方面表现出出色的光学透明度和晶体管性能。即使在纳米线覆盖率较低的情况下，也可以从NW-TFT器件获得高导通电流和场效应迁移率。基于SnO2纳米线的TFT方法提供了许多理想的特性，例如低增长成本，高电子迁移率，光学透明性和低工作电压，并且可能导致透明电子产品在各种基板上的大规模应用。

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