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Structural coherency of graphene on Ir(111)

机译：石墨烯在Ir（111）上的结构相干性

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Low-pressure chemical vapor deposition allows one to grow high structural quality monolayer graphene on Ir(111). Using scanning tunneling microscopy, we show that graphene prepared this way exhibits remarkably large-scale continuity of its carbon rows over terraces and step edges. The graphene layer contains only a very low density of defects. These are zero-dimensional defects, edge dislocation cores consisting of heptagon-pentagon pairs of carbon atom rings, which we relate to small-angle in-plane tilt boundaries in the graphene. We quantitatively examined the bending of graphene across Ir step edges. The corresponding radius of curvature compares to typical radii of thin single-wall carbon nanotubes.
机译：低压化学气相沉积使人们可以在Ir（111）上生长高结构质量的单层石墨烯。使用扫描隧道显微镜，我们显示以这种方式制备的石墨烯在阶地和台阶边缘上表现出其碳排的显着大规模连续性。石墨烯层仅包含非常低的缺陷密度。这些是零维缺陷，由碳原子环的七边形-五边形对组成的边缘位错核心，我们与石墨烯中的小角度平面内倾斜边界有关。我们定量地研究了跨Ir台阶边缘的石墨烯的弯曲。相应的曲率半径与薄单壁碳纳米管的典型半径相比。

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