• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nano letters >Remarkable Reduction of Thermal Conductivity in Silicon Nanotubes
【24h】

Remarkable Reduction of Thermal Conductivity in Silicon Nanotubes

机译：硅纳米管的导热系数显着降低

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We propose to reduce the thermal conductivity of silicon nanowires (SiNWs) by introducing a small hole at the center, i.e., construct a silicon nanotube (SiNT) structure. Our numerical results demonstrate that a very small hole (only 1% reduction in cross section area) can induce a 35% reduction in room temperature thermal conductivity. Moreover, with the same cross section area, thermal conductivity of SiNT is only about 33% of that of SiNW at room temperature. The spatial distribution of vibrational energy reveals that localization modes are concentrated on the inner and outer surfaces of SiNTs. The enhanced surface-to-volume ratio in SiNTs reduces the percentage of delocalized modes, which is believed to be responsible for the reduction of thermal conductivity. Our study suggests SiNT is a promising thermoelectric material with low thermal conductivity.
机译：我们建议通过在中心引入一个小孔来降低硅纳米线（SiNWs）的导热性，即构造一个硅纳米管（SiNT）结构。我们的数值结果表明，很小的孔（横截面积仅减少1％）可导致室温热导率减少35％。此外，在相同的横截面面积下，SiNT的导热率仅为室温下SiNW的33％左右。振动能量的空间分布表明，定位模式集中在SiNTs的内表面和外表面。 SiNT中提高的表面体积比降低了离域模的百分比，据信这是导致导热系数降低的原因。我们的研究表明，SiNT是一种具有低导热系数的有前途的热电材料。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号