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【24h】

Diameter-dependent composition of vapor-liquid-solid grown Si1-xGex nanowires

机译：气液固生长的Si1-xGex纳米线的直径依赖性组成

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Diameter-dependent compositions of Si-1-Ge-x(x) nanowires grown by a vapor-liquid-solid mechanism using SiH4 and GeH4 precursors are studied by transmission electron microscopy and X-ray energy dispersive spectroscopy. For the growth conditions studied, the Ge concentration in Si-1-Ge-x(x) nanowires shows a strong dependence on nanowire diameter, with the Ge concentration decreasing with decreasing nanowire diameter below similar to 50 nm. The size-dependent nature of Ge concentration in Si-1-Ge-x(x) NWs is strongly suggestive of Gibbs-Thomson effects and highlights another important phenomenon in nanowire growth.
机译：通过透射电子显微镜和X射线能量色散光谱研究了通过气液固机制使用SiH4和GeH4前驱体生长的Si-1-Ge-x（x）纳米线的直径依赖性成分。对于所研究的生长条件，Si-1-Ge-x（x）纳米线中的Ge浓度显示出对纳米线直径的强烈依赖性，Ge浓度随着纳米线直径的减小而降低，低于约50 nm。 Si-1-Ge-x（x）纳米线中Ge浓度的大小依赖性本质强烈暗示了Gibbs-Thomson效应，并突出了纳米线生长中的另一个重要现象。

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