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Single carbon nanotube transistor at GHz frequency

机译：GHz频率下的单个碳纳米管晶体管

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We report on microwave operation of top-gated single carbon nanotube transistors. From transmission measurements in the 0.1-1.6 GHz range, we deduce device transconductance g(m) and gate-nanotube capacitance C-g of micro- and nanometric devices. A large and frequency-independent g(m) similar to 20 16 is observed on short devices, which meets the best dc results. The capacitance per unit gate length of 66 aF/mu m is typical of top gates on a conventional oxide with epsilon similar to 10. This value is a factor of 3-5 below the nanotube quantum capacitance which, according to recent simulations, favors high transit frequencies f(T) = g(m)/2 pi C-g. For our smallest devices, we find a large f(T) similar to.50 GHz with no evidence of saturation in length dependence,
机译：我们报告了顶部门控单碳纳米管晶体管的微波操作。通过在0.1-1.6 GHz范围内的传输测量，我们可以得出微和纳米器件的器件跨导g（m）和栅-纳米管电容C-g。在短设备上观察到类似于20 16的较大且与频率无关的g（m），可满足最佳直流结果。单位栅长长度为66 aF /μm的电容是具有ε的传统环氧氧化物上类似于10的顶栅的典型值。该值比纳米管量子电容低3-5倍，根据最近的模拟，该值有利于提高过渡频率f（T）= g（m）/ 2 pi Cg。对于我们最小的设备，我们发现一个大的f（T）类似于50 GHz，没有证据表明长度依赖饱和，

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