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Coaxial nanocables of p-type zinc telluride nanowires sheathed with silicon oxide: synthesis, characterization and properties

机译：包覆有氧化硅的p型碲化锌纳米线的同轴纳米电缆：合成，表征和性能

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Coaxial nanocables with a single-crystalline zinc telluride (ZnTe) nanowire core and an amorphous silicon oxide (SiOx) shell have been synthesized via a simple one-step chemical vapor deposition (CVD) method on gold-decorated silicon substrates. The single-crystal ZnTe nanowire core is in zinc-blende structure along the [111] direction, while the uniform SiOx shell fully covers the core with no observable pin-hole or crack. Formation mechanisms of the ZnTe-SiOx nanocables are discussed. The ZnTe nanowire core shows p-type electrical properties while the SiOx shell acts as an effective insulating layer. The ZnTe-SiOx nanocables may have potential applications in nanoscale devices, such as p-type FETs and nanosensors.
机译：通过简单的一步化学气相沉积（CVD）方法在装饰有金的硅基板上合成了具有单晶碲化锌（ZnTe）纳米线芯和非晶氧化硅（SiOx）壳的同轴纳米电缆。 ZnTe单晶纳米线芯沿[111]方向呈闪锌矿结构，而均匀的SiOx壳完全覆盖芯，没有可观察到的针孔或裂纹。讨论了ZnTe-SiOx纳米电缆的形成机理。 ZnTe纳米线芯表现出p型电特性，而SiOx壳层充当有效的绝缘层。 ZnTe-SiOx纳米电缆可能在纳米器件（例如p型FET和纳米传感器）中具有潜在的应用。

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