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Minority carrier effects in nanoscale Schottky contacts

机译：纳米级肖特基接触中的少数载流子效应

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We report the current-voltage behavior for nanoscale point contacts to Si(111) obtained in ultrahigh vacuum using scanning tunneling microscopy. Epitaxial CoSi2 islands provide single-crystal contacts with well-defined size and shape. The zero bias conductance is found to be independent of the island size (10~2-10~4 nm~2) and shape, but varies strongly with the surface Fermi level position. This behavior is explained by the recombination-generation current from minority carriers at the free surface, which may be orders of magnitude larger than the majority carrier thermionic or tunnel currents across the contact interface. This can give rise to large shifts of the apparent ideality factor and Schottky barrier height for the point contact.
机译：我们报告使用扫描隧道显微镜在超高真空中获得的纳米级点接触到Si（111）的电流-电压行为。外延CoSi2岛提供了具有明确定义的尺寸和形状的单晶接触。发现零偏压电导与岛的大小（10〜2-10〜4 nm〜2）和形状无关，但随表面费米能级位置的变化很大。这种现象可以通过自由表面上少数载流子的重组产生电流来解释，该电流比穿过接触界面的多数载流子热电子或隧道电流要大几个数量级。这会导致明显的理想因子和点接触的肖特基势垒高度发生较大的变化。

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