Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures

A M Sanchez; A M Beltran; R Beanland; T Ben; M H Gass; F de la Pena; MWalls; A G Taboada; JMRipalda; S I Molina

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Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures

机译：在III–V-Sb纳米结构中通过锑阻止铟的掺入

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The addition of antimony to III–V nanostructures is expected to give greater freedom in bandgap engineering for device applications. One of the main challenges to overcome is the effect of indium and antimony surface segregation. Using several very high resolution analysis techniques we clearly demonstrate blocking of indium incorporation by antimony. Furthermore, indium incorporation resumes when the antimony concentration drops below a critical level. This leads to major differences between nominal and actual structures.

机译：在III–V纳米结构中添加锑有望为器件应用的带隙工程带来更大的自由度。要克服的主要挑战之一是铟和锑表面偏析的影响。使用几种非常高分辨率的分析技术，我们清楚地证明了锑能阻止铟的掺入。此外，当锑浓度下降到临界水平以下时，铟的结合恢复。这导致名义结构与实际结构之间的重大差异。

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来源
《Nanotechnology》 |2010年第14期|共8页
作者
A M Sanchez; A M Beltran; R Beanland; T Ben; M H Gass; F de la Pena; MWalls; A G Taboada; JMRipalda; S I Molina;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类特种结构材料;
关键词
incorporation; indium; freedom;

机译：掺入铟铟;

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