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InGaN self-assembled quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition with growth interruption

机译：通过金属有机化学气相沉积生长生长中断的InGaN自组装量子点

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Self-assembled InGaN quantum dots (QDs) were grown by metal-organic chemical vapour deposition with growth interruption at low V/III ratio and low growth temperature on sapphire substrates. The effects of the interruption time on the morphological and optical properties of InGaN QDs were studied. The results show that the growth interruption can modify the dimension and distribution of InGaN QDs, and cause the QD emission wavelength to blue shift with increasing interruption time. A density of InGaN QDs of about 4.5 x 10~(10) cm~ -2 with an average lateral size of 11.5 nm and an average height of 1.6 nm can be obtained by using a growth interruption time of 60 s.
机译：通过有机金属化学气相沉积法在蓝宝石衬底上以低V / III比和低生长温度生长生长中断的情况下，生长了自组装InGaN量子点（QD）。研究了中断时间对InGaN QDs的形貌和光学性质的影响。结果表明，生长中断可以改变InGaN QD的尺寸和分布，并导致QD发射波长随着中断时间的增加而蓝移。通过使用60 s的生长中断时间，可以获得大约4.5 x 10〜（10）cm-2的InGaN QD密度，平均横向尺寸为11.5 nm，平均高度为1.6 nm。

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