Phase-Change-Memory Materials Based on System Chalcogenides and Their Application in Phase-Change Random-Access Memory

S. A. Kozyukhin; A. A. Sherchenkov; V. M. Novotortsev; S. P. Timoshenkov

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Phase-Change-Memory Materials Based on System Chalcogenides and Their Application in Phase-Change Random-Access Memory

机译：基于系统硫族化物的相变存储材料及其在相变随机存取存储器中的应用

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Chalcogenide alloys in the Ge–Sb–Te system are examined from the point of view of their appli-cation in nonvolatile phase-change random-access memory (PC RAM). An analysis of the physicochemical properties of crystalline compounds and amorphous films on their basis is carried out.

机译：从它们在非易失性相变随机存取存储器（PC RAM）中的应用角度出发，研究了Ge-Sb-Te体系中的硫族化物合金。基于它们的结晶化合物和无定形膜的理化性质进行了分析。

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来源
《Nanotechnologies in Russia》 |2011年第4期|共10页
作者
S. A. Kozyukhin; A. A. Sherchenkov; V. M. Novotortsev; S. P. Timoshenkov;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类数理科学和化学;
关键词
crystalline compounds; memory; examined;

机译：结晶化合物;记忆;检查;

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