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【24h】

Transforming insulating rutile single crystal into a fully ordered nanometer-thick transparent semiconductor

机译：将绝缘金红石单晶转变为纳米级完整的透明半导体

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Rutile single crystals treated with ion-beam preferential etching (IBPE) are investigated with electrical transport and transmission electron microscopy. The initially insulating single crystals show the formation of an oxygen vacancy-rich, highly ordered, thin conducting layer, below a crystalline rutile TiO_2 surface layer. Carrier concentrations of 10~(19) cm ~(-3) and very high mobilities of the order of 300 cm2 V~(-1) s~(-1) are observed in the nanolayers. The observations indicate that rutile single crystals can be effectively transformed into controlled conducting material using IBPE for creating a new breakthrough in transparent conducting media.
机译：用电子传输和透射电子显微镜研究了用离子束优先刻蚀（IBPE）处理的金红石单晶。最初绝缘的单晶显示出在晶体金红石TiO_2表面层下方形成了一个富氧空位，高度有序的薄导电层。在纳米层中观察到载流子浓度为10〜（19）cm〜（-3），迁移率非常高，约为300 cm2 V〜（-1）s〜（-1）。观察结果表明，使用IBPE可以将金红石单晶有效地转变为受控的导电材料，从而在透明导电介质中创造新的突破。

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