• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Formation of GaAs wire structures and position-controlled In_(0.8)Ga_(0.2)As quantum dots on SiO_2-patterned vicinal (001) GaAs substrates
【24h】

Formation of GaAs wire structures and position-controlled In_(0.8)Ga_(0.2)As quantum dots on SiO_2-patterned vicinal (001) GaAs substrates

机译：在SiO_2图案邻域（001）GaAs衬底上形成GaAs线结构和位置控制的In_（0.8）Ga_（0.2）As量子点

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We investigated In_(0.8)Ga_(0.2)As self-assembled quantum dots (SAQDs) and their underlying GaAs wire structures grown by metalorganic vapour phase epitaxy on SiO_2-patterned exact and vicinal (001) GaAs substrates. The directions of the misorientation of the vicinal (001) GaAs substrate and the patterned wire SiO_2 mask were [11_bar 1]. During the growth of the GaAs layer on SiO_2-patterned vicinal (001) GaAs substrates. {110}, {111}A, and {113}A facets were evolved by the opening layer width of the masks and the misorientation angles of the substrates. The ratio of the growth rate on the {111}A sidewalls to that on the neighbouring facets. (G_({111}A)), was increased by using the vicinal substrate having the higher misorientation angle, hence the surface migration of Ga adatoms from the {111}A sidewalls to the top region (M_(S->T)) decreased. In_(0.8)Ga_(0.2)As SAQDs having regular periodicity on a narrow (001) top terrace were formed on a SiO_2-pattemed 5 deg -off (001) GaAs substrate.
机译：我们研究了In_（0.8）Ga_（0.2）As自组装量子点（SAQDs）及其在SiO_2图案的精确和附近（001）GaAs衬底上通过金属有机气相外延生长的其下面的GaAs线结构。相邻的（001）GaAs衬底和构图的线SiO_2掩模的取向错误的方向是[11_bar 1]。在SiO_2图案的邻域（001）GaAs衬底上生长GaAs层期间。 {110}，{111} A和{113} A的面通过掩模的开口层宽度和基板的取向差角而演变。 {111} A侧壁上的生长速率与相邻面上的生长速率之比。 （G _（{111} A））通过使用取向角较大的邻近基底而增加，因此Ga吸附原子从{111} A侧壁到顶部区域的表面迁移（M_（S-> T））减少了。在狭窄的（001）顶部平台上具有规则周期性的In_（0.8）Ga_（0.2）As SAQD形成在SiO_2图案的5度偏移（001）GaAs衬底上。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号