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Ordered arrays of silicon pillars with controlled height and aspect ratio

机译:具有受控的高度和纵横比的有序硅柱阵列

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摘要

We report the fabrication of ordered arrays of silicon pillars via a combination of nanosphere lithography (NSL) and reactive ion etching (RIE). For NSL we used monolayers of silica particles self-assembled onto silicon substrates as masks for the deposition of hexagonal arrays of chromium nanoislands. By changing the amount of the deposited metal we fabricated arrays of nanoislands with different size and spacing. By using these arrays as masks for RIE, silicon pillars with different height (up to 1100 nm) and aspect ratio (up to 12:1) could be obtained.
机译:我们报告通过结合纳米球光刻(NSL)和反应离子刻蚀(RIE)来制造有序的硅柱阵列。对于NSL,我们使用自组装在硅衬底上的二氧化硅颗粒单层作为掩模,以沉积六方铬纳米岛阵列。通过改变沉积金属的数量,我们制造了具有不同尺寸和间距的纳米岛阵列。通过将这些阵列用作RIE的掩模,可以获得具有不同高度(最大1100 nm)和纵横比(最大12:1)的硅柱。

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