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Noise characteristics of single-walled carbon nanotube network transistors

机译：单壁碳纳米管网络晶体管的噪声特性

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The noise characteristics of randomly networked single-walled carbon nanotubes grown directly by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are studied with field effect transistors (FETs). Due to the geometrical complexity of nanotube networks in the channel area and the large number of tube -tube/tube-metal junctions, the inverse frequency, 1/f, dependence of the noise shows a similar level to that of a single single-walled carbon nanotube transistor. Detailed analysis is performed with the parameters of number of mobile carriers and mobility in the different environment. This shows that the change in the number of mobile carriers resulting in the mobility change due to adsorption and desorption of gas molecules (mostly oxygen molecules) to the tube surface is a key factor in the 1/f noise level for carbon nanotube network transistors.
机译：利用场效应晶体管（FET）研究了通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）直接生长的无规网状单壁碳纳米管的噪声特性。由于纳米管网络在通道区域的几何复杂性以及大量的管-管/管-金属结，逆频率1 / f，对噪声的依赖性显示出与单个单壁相似的水平碳纳米管晶体管。使用不同环境中的移动运营商数量和移动性参数进行详细分析。这表明，由于气体分子（主要是氧分子）在管表面的吸附和解吸，导致迁移率变化的移动载流子数量的变化是碳纳米管网络晶体管1 / f噪声级的关键因素。

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