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【24h】

Controllable oxygen vacancies to enhance resistive switching performance in a ZrO_2-based RRAM with embedded Mo layer

机译：可控制的氧空位，以增强具有嵌入式Mo层的基于ZrO_2的RRAM中的电阻切换性能

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In this study, the resistive switching characteristics of a ZrO _2-based memory film with an embedded Mo layer are investigated. The experimental results show that the forming process can be removed by inserting an embedded Mo metal layer within ZrO_2 via a post-annealing process. The excellent memory performance, which includes lower operation voltage (< 1.5 V), good endurance (> 10~3 cycles), a stubborn nondestructive readout property (> 10~4 s), and long retention time (> 10 ~7 s), is also demonstrated. Moreover, high-speed operation (10 ns) can be successively maintained over 10~3 cycles without any operational errors observed in this memory device. Due to the interface layer induced by the Ti top electrode, the formation and rupture of conducting filaments are suggested to occur near the Ti/ZrO_2 interface. The oxygen vacancies induced by the embedded Mo can enhance the formation of conducting filaments and further improve the switching characteristics in ZrO_2-based devices.
机译：在这项研究中，研究了具有嵌入的Mo层的基于ZrO _2的存储膜的电阻开关特性。实验结果表明，可以通过后退火工艺在ZrO_2内插入一层嵌入的Mo金属层，从而消除形成工艺。出色的存储性能，包括较低的工作电压（<1.5 V），良好的耐久性（> 10〜3个周期），顽固的无损读出特性（> 10〜4 s）和长的保留时间（> 10〜7 s） ，也得到了证明。此外，在10〜3个周期内可以连续保持高速操作（10 ns），而在此存储设备中未观察到任何操作错误。由于Ti上电极引起的界面层，建议导电丝的形成和破裂发生在Ti / ZrO_2界面附近。嵌入的Mo诱导的氧空位可以增强导电丝的形成，并进一步改善ZrO_2基器件的开关特性。

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