• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >The enhancement of luminescence in ion implanted Si quantum dots in SiO_2 matrix by means ofdose alignment and doping
【24h】

The enhancement of luminescence in ion implanted Si quantum dots in SiO_2 matrix by means ofdose alignment and doping

机译：通过剂量对准和掺杂增强SiO_2基体中离子注入的Si量子点中的发光

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The Si~+ -dose dependence of the photoluminescence (PL) intensity at #lambda# 800 nm for SiO_2 with Si nanoinclusions (NIs) produced by ion implantation is studied. It is shown an this dependence is determined by the increase of the surface density of NIs, the mean size NIs being constant until they overlap. Doping by phosphorus enhances the PL due to the joint action of two mechanisms: (i) the supply of additional electrons from the donors to the conduction band of quantum dots and (ii) the passivation of dangling bonds by phosphorus atoms.
机译：研究了通过离子注入产生的具有Si纳米内含物（NIs）的SiO_2在＃λ＃800 nm处的光致发光（PL）强度的Si〜+剂量依赖性。结果表明，这种依赖性是由NI的表面密度的增加决定的，NI的平均大小在它们重叠之前是恒定的。磷的掺杂由于两种机理的共同作用而增强了PL：（i）从供体向量子点的导带提供额外的电子;（ii）磷原子对悬空键的钝化。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号