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Topographic characterization of AFM-grown SiO_2 on Si

机译：Si上AFM生长的SiO_2的形貌表征

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In order to establish whether atomic force microscope (AFM) grown SiO_2 is appropriate for use as a gate oxide in nanoelectronics, a characterization of these films needs to be performed. In this paper results on AFM fabrication and topographical characterization of large-area SiO_2 patterns are presented. This paper is centred around the SiO_2 surface and SiO_2-Si interface roughness, due to its importance in relation to the quality of ultrathin dielectrics. Our results show quite similar values to those obtained for thermal oxides and thus we suggest that AFM-grown SiO_2 is a suitable candidate for gate oxide applications in nanodevices.
机译：为了确定原子力显微镜（AFM）生长的SiO_2是否适合用作纳米电子学中的栅极氧化物，需要对这些膜进行表征。本文介绍了大面积SiO_2图案的原子力显微镜制造结果和形貌表征。由于它对超薄电介质质量的重要性，因此本文以SiO_2表面和SiO_2-Si界面粗糙度为中心。我们的结果显示出与热氧化物获得的值非常相似的值，因此我们建议AFM生长的SiO_2是纳米器件中栅极氧化物应用的合适候选者。

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