Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP

Aimin Liu

首页> 外文期刊>Nanotechnology >Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP

【24h】

Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP

机译：多孔InP的微观结构和光致发光光谱

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Photoluminescence (PL) of porous InP formed by electrochemical etching techniques is measured at room temperature. Compared to the PL of the bulk InP wafer, a blueshifted PL emission is observed. It is found that the amount of the blueshifted energy depends on the microstructure of porous InP, which in turn strongly depends on the potential voltage applied during the electrochemical etching. Time-resolved PL study of the sample shows that surface nonradiative recombination is dominant.

机译：在室温下测量通过电化学蚀刻技术形成的多孔InP的光致发光（PL）。与块状InP晶片的PL相比，观察到蓝移的PL发射。发现蓝移能量的量取决于多孔InP的微观结构，而多孔InP的微观结构又强烈取决于在电化学蚀刻期间施加的电势电压。样品的时间分辨PL研究表明表面非辐射复合是主要的。

著录项

来源
《Nanotechnology》 |2001年第3期|共9页
作者
Aimin Liu;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP [J] . Aimin Liu Nanotechnology . 2001,第3期

机译：多孔InP的微观结构和光致发光光谱
2. Potential role of silanones in the photoluminescence-excitation, visible-photoluminescence-emission, and infrared spectra of porous silicon [J] . Gole JL., Dixon DA. Physical Review, B. Condensed Matter . 1998,第19期

机译：硅氧烷在光致发光 - 激发，可见光发光 - 发射和多孔硅的红外光谱中的潜在作用
3. Enhanced photoluminescence emission from bandgap shifted InGaAs/InGaAsP/InP microstructures processed with UV laser quantum well intermixing [J] . Liu N., Poulin S., Dubowski J.J. Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2013,第44期

机译：带隙位移的InGaAs / InGaAsP / InP微结构经紫外激光量子阱混合处理后增强了光致发光发射
4. Morphologies and photoluminescence properties of porous n-InP [C] . Y. Suchikova, I. Bogdanov, S. Onishchenko, 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application amp; Properties . 2017

机译：多孔n-InP的形貌和光致发光特性
5. Quenching of porous silicon photoluminescence by aromatic molecules, and surface derivatization of porous silicon with dimethyl sulfoxide, aryllithium, or alkyllithium reagents [D] . Song, Jae Hee 1998

机译：芳香族分子淬灭多孔硅的光致发光，并用二甲基亚砜，芳基锂或烷基锂试剂对多孔硅进行表面衍生
6. Fractional Charge States in the Magneto-Photoluminescence Spectra of Single-Electron InP/GaInP [O] . Alexander Mintairov, Dmitrii Lebedev, Alexei Vlasov, 2021

机译：单电子INP / GAINP的磁光光致发光光谱中的分数充电状态
7. Photoluminescence properties of porous InP filled with ferroelectric polymers [O] . C. H. Jia, Y. H. Chen, Y. C. Jiang, 2015

机译：多孔Inp填充铁电聚合物的光致发光特性
8. Etude des Surfaces d'InP et des Interfaces InP Isolant Par Photoluminescence (Photoluminescence Study of InP Surfaces and InP-Insulator Interfaces) [R] . Bourdoucen, H. 1987

机译：Etude des surfaces d'Inp et des Interfaces Inp Isolant par photoluminescence（Inp表面和Inp绝缘体界面的光致发光研究）

Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅