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首页> 外文期刊>Nanotechnology >Surface-enhanced Raman characteristics of Ag cap aggregates on silicon nanowire arrays
【24h】

Surface-enhanced Raman characteristics of Ag cap aggregates on silicon nanowire arrays

机译：硅纳米线阵列上Ag帽聚集体的表面增强拉曼特性

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A convenient nanotechnique is used to place analyte molecules between closely spaced silver-capped Si nanowires for investigating surface-enhanced Raman scattering (SERS). It is revealed that the SERS intensity (or sensitivity) is closely related to the etching time used to prepare the Si nanowires from wafer. As the etching leaves the nominal spacing between the nanowires unaffected, the observed effect can be explained based on different gaps between the Ag particles due to the different lengths of the Si nanowires. Large SERS intensity for short etching times can be elucidated in terms of the rigidity of the nanowires and the smaller SERS intensities for longer etching times can be explained by considering the bending of nanowires and the agglomeration of the Ag caps due to gravity and van der Waals forces.
机译：便利的纳米技术用于将分析物分子放置在间隔较近的银封盖的Si纳米线之间，以研究表面增强拉曼散射（SERS）。揭示了SERS强度（或灵敏度）与用于从晶片制备Si纳米线的蚀刻时间密切相关。由于蚀刻使纳米线之间的标称间隔不受影响，因此可以基于由于Si纳米线的长度不同而导致的Ag颗粒之间的间隙来解释观察到的效果。可以根据纳米线的刚度来说明在短蚀刻时间内具有较大的SERS强度，而在较长蚀刻时间下可以具有较小的SERS强度，这可以通过考虑纳米线的弯曲以及重力和范德华力导致的Ag帽的团聚来解释。力量。

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