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【24h】

Mole of inert gas in the low-tempera lure nano-diamond chemical vapour deposition process

机译：低温诱饵纳米金刚石化学气相沉积工艺中的惰性气体分子

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We report a systematic investigation of the effect of different inert gases on chemical vapour deposition (CVD) of nano-crystalline diamond. The surface morphology and growth rate of the nano-structure CVD films were characterized by Raman spectroscopy and different microscopic techniques. In situ optical emission measurement was employed to monitor the plasma chemistry, which possibly influences the film growth. Our result indicates that C_2 is not necessarily the key growth species for nano-crystalline diamond and we demonstrate here that the nano-crystalline diamond film can be grown under conditions where the C_2 concentration is very small. Modelling results support the trend in number density changes for intermediate radicals with the volume percentage of argon variation for CH_4/H_2/Ar plasma.
机译：我们报告了不同的惰性气体对纳米晶金刚石化学气相沉积（CVD）的影响的系统研究。用拉曼光谱和不同的显微技术表征了纳米结构CVD膜的表面形貌和生长速率。采用原位光发射测量来监测等离子体化学，这可能会影响膜的生长。我们的结果表明，C_2不一定是纳米晶金刚石的关键生长物种，在这里我们证明了纳米晶金刚石膜可以在C_2浓度非常小的条件下生长。建模结果支持了中间自由基数密度变化的趋势，以及CH_4 / H_2 / Ar等离子体中氩气体积百分比的变化。

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