• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >The influence of the implantation dose and energy on the electroluminescence of Si~+-implanted amorphous SiO_2 thin films
【24h】

The influence of the implantation dose and energy on the electroluminescence of Si~+-implanted amorphous SiO_2 thin films

机译：注入剂量和能量对注入Si〜+的非晶SiO_2薄膜电致发光的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Visible and infrared (IR) electroluminescence (EL) has been observed from a melal-oxide-semiconductor-like (MOS-like) structure with Si nanocrystals (nc-Si) embedded in the gate oxide fabricated with low-energy ion implantation. The EL spectra are found to consist of four Gaussian-shaped luminescence bands with their peak wavelengths at approx 460, approx 600, approx 740, and approx 1260 nm, respectively, among which the approx 600 nm band is the dominant one. Different nanocrystal distributions are achieved by varying the implanted Si ion dose and implantation energy. The nanocrystal distribution is found to play an important role in the EL. The influence of the applied voltage, the implantation dose, and implantation energy on the luminescence hands has been investigated.
机译：从具有低能量离子注入制造的栅氧化物中嵌入有Si纳米晶体（nc-Si）的类似金属氧化物半导体（MOS）的结构中，已经观察到可见和红外（IR）电致发光（EL）。发现EL光谱由四个高斯形发光带组成，其峰值波长分别在大约460，大约600，大约740和大约1260nm，其中大约600nm带是主要的。通过改变注入的硅离子剂量和注入能量来获得不同的纳米晶体分布。发现纳米晶体分布在EL中起重要作用。研究了施加电压，注入剂量和注入能量对发光指针的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号