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【24h】

The influence of Ga+ irradiation on the transport properties of mesoscopic conducting thin films

机译：Ga +辐照对介观导电薄膜传输性能的影响

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We studied the influence of 30 keV Ga+-ions—commonly used in focused-ion-beam (FIB) devices—on the transport properties of thin crystalline graphite flakes, and La0.7Ca0.3MnO3 and Co thin films. The changes in electrical resistance were measured in situ during irradiation and also the temperature and magnetic field dependence before and after irradiation. Our results show that the transport properties of these materials strongly change at Ga+ fluences much below those used for patterning and ion-beam-induced deposition (IBID), seriously limiting the use of FIB when the intrinsic properties of the materials of interest are of importance. We present a method that can be used to protect the sample as well as to produce selectively irradiation-induced changes.
机译：我们研究了通常在聚焦离子束（FIB）器件中使用的30 keV Ga +离子对薄结晶石墨薄片，La0.7Ca0.3MnO3和Co薄膜的传输性能的影响。在辐照期间就地测量电阻的变化，还测量辐照前后的温度和磁场依赖性。我们的结果表明，这些材料在Ga +注量下的传输特性发生了很大的变化，远低于用于图案形成和离子束诱导沉积（IBID）的那些，当目标材料的固有特性非常重要时，严重限制了FIB的使用。 。我们提出了一种可用于保护样品以及选择性产生辐射引起的变化的方法。

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