原子ビームリソグラフイー

山内泰; 倉橋光紀; 鈴木拓

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机译：原子束光刻

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高密度集積半導体素子を大量生産するのに適したリソグラフィーによる微細加工には、その創成期から光が露光源として使われ、ポリメチルメタアクリレートのような高分子が厚膜レジストに用いられてきました。リソグラフィーの微細加工の限界には様々な要因がありますが、その多くは解決され、原理的な要因である光の回折限界にまで達しています。回折眼界は波長に依存しますから、今では波長の短い紫外線が用いられるようになっています。さらに短波長の軟X線あるいは電子線等が研究され、試験的少量生産への利用も行われています。しかし、大量生産における微細化を将来にわたって進めるには、露光源の回折限界のみならず透過性や近接効果の克服や加工幅に対応した薄膜レジストの導入などの課題を抜本的に解決しなければなりません。

机译：自从开始就将光用作曝光源，并且诸如聚甲基丙烯酸甲酯之类的聚合物已经被用于厚膜抗蚀剂中，以通过光刻进行微加工，适合于高密度集成半导体元件的批量生产。它是。有多种因素限制了光刻的精细加工，但是大多数因素已经解决并达到了光衍射的极限，这是一个基本因素。由于衍射的视场取决于波长，因此现在使用具有短波长的紫外线。此外，短波软X射线或电子束已得到研究，正在用于小批量生产。然而，为了在将来促进大规模生产的小型化，有必要彻底解决诸如不仅克服曝光源的衍射极限，而且克服透明性和邻近效应以及引入与处理宽度相对应的薄膜抗蚀剂的问题。它不会。

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来源
《NIMS NOW》 |2006年第12期|共1页
作者
山内泰; 倉橋光紀; 鈴木拓;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类工程材料学;
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