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Glycerol as additive in copper indium gallium diselenide electrodeposition: morphological, structural and electronic effects

机译：甘油作为铜铟镓二硒化物电沉积添加剂：形态，结构和电子效应

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The co-electrodeposition of copper, indium, gallium and selenium from a pH 1.5 acid bath onto an FTO substrate in the presence of the additive glycerol (GLR) is studied. The concentration of additive in the bath is evaluated, and conditions are optimised for deposition of Cu(In, Ga)Se-2 (CIGSe) thin films. The films are characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, ultraviolet-visible-near-infrared spectroscopy (UV-Vis-NIR), Mott-Schottky and photocurrent measurements. Mott-Schottky data, XRD and SEM studies reveal an improvement of the crystalline quality and the reduction the number of surface defects of the CIGSe films electrodeposited in presence of the additive. Photo-electrochemical and UV-Vis-NIR measurements show p-type photoconductivity with band gap of 1.34 eV.
机译：研究了在存在添加剂甘油（GLR）的情况下，将pH 1.5的酸浴中的铜，铟，镓和硒共电镀到FTO基材上的情况。评价镀液中添加剂的浓度，并优化用于沉积Cu（In，Ga）Se-2（CIGSe）薄膜的条件。这些膜的特征在于X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM），拉曼光谱，紫外可见近红外光谱（UV-Vis-NIR），莫特-肖特基和光电流测量。 Mott-Schottky数据，XRD和SEM研究表明，在添加添加剂的情况下，电沉积的CIGSe薄膜的晶体质量得到改善，表面缺陷的数量减少。光电电化学和UV-Vis-NIR测量显示带隙为1.34 eV的p型光电导。

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